Электронный микроскоп
Hitachi SU3500/Model3500 SEM
Оформить заявку
Назначение прибора
Cканирующий электронный микроскоп Hitachi SU3500 предназначен для наблюдения увеличенных изображений поверхностей как проводящих, так и диэлектрических образцов. Помимо изображения поверхности и топографии поверхности имеется возможность определения качественного и полуколичественного составов исследуемых образцов. Элементное картирование в режиме волновой и энергетической дисперсии адекватно отображает распределение элементов в образце.
Режим наблюдения дифракции обратно отражённых электронов позволяет исследовать кристаллическую структуру поверхностных слоёв.
Основные технические характеристики прибора
Характеристика
|
Значение
|
Ускоряющее напряжение:
|
0.3-30 кВ
|
Увеличение:
|
´5-300 000
|
Разрешение:
|
До 3 нм
|
Глубина резкости:
|
0,5 мм
|
Детектор:
|
детектор вторичных электронов
детектор обратно рассеянных электронов
|
Источник электронов:
|
вольфрамовый катод
|
Перемещение столика образца:
|
X=0..100 мм, Y=0..50 мм Z=5..65 мм
|
Максимальный размер образца:
|
200 мм в диаметре, 50 мм в высоту
|
Режимы исследования:
|
стандартный высоковакуумный и режим снятия зарядки с образца (низковакуумный режим)
|
Формат сохраняемых данных:
|
BMP, TIFF, JPEG
|
Рентгеноспектральный анализатор
|
Рентгеноспектральный энергодисперсионный анализаторBRUKER XFlash 6160 Рентгеноспектральный волнодисперсионный анализатор BRUKER XSense WD
|
Тип детектора:
|
SDD кремний-дрейфовый детектор с рабочей площадью 60 мм2
|
Гарантированное разрешение по энергии:
|
135 эВ (Mn-Kα), 154 эВ (Cu-Kα)
4 эВ (Si Kα)
|
Диапазон определяемых элементов:
|
от B (5) до U (92)
|
Рентгеновское картирование:
|
есть
|
Области применения прибора
Материаловедение, минералогия, геология, медицина, металлургия, нанотехнология, физика полупроводников. Кристаллографический анализ ровных поверхностей.
Требования к образцам исследования
Порошковый или компактный, стабильный, устойчивый к высокому вакууму и локальному нагреву электронным пучком. Размер образца высотой до 50 мм до 200 мм. Наилучшие результаты получаются для электропроводных образцов.
Для дифракционного анализа поверхность образца должна быть атомарно гладкой.
Время, необходимое на одно измерение
Измерение занимает от 45 минут (время выхода в рабочий режим + 1 фотография).
Форматы данных, выдаваемых прибором
Изображения в формате .JPEG и базы данных микрорентгеноспектрального анализа в формате .BCF.
Возможно выдача отчёта в формате .DOC.
Контактная информация
Место расположения прибора: | Академгородок 50, строение 12 (технологический корпус института физики), к.0-16. |
Ответственный за прибор | <Шабанов Александр Васильевич
тел. 8(913)-539-74-61
e-mail: alexch_syb@mail.ru
Заявки принимает | Шабанов Александр Васильевич
тел. 8(913)-539-74-61
e-mail: alexch_syb@mail.ru
|
Поделиться: