Порошковый рентгеновский дифрактометр D8 ADVANCE измеряет зависимость интенсивности рентгеновских лучей, рассеянных порошкообразными образцами, плёнками, стёклами, ориентированными монокристаллами и т.д., от угла дифракции 2θ при температурах от 130 до 720 K.
Предназначен для количественного и качественного рентгеноструктурного анализа. Для качественного анализа используется банк данных порошковых рентгенограмм PDF-2 органических и неорганических соединений. Количественное соотношение фаз определяется в программе TOPAS 4.2 в результате уточнения методом Ритвельда (Рис.2).
Неизвестные соединения, порошковые рентгенограммы которых отсутствуют в базах данных, могут быть проиндицированы и параметры ячеек определены в программах ITO, WTREOR, TOPAS 4.2, DASH 3.3. Рентгенограмма однофазного соединения после успешного индицирования позволяет определить симметрию и структуру соединения (типы ионов/атомов и их взаимное расположение), а также провести её уточнение методом Ритвельда, построить модель электронной плотности кристалла с целью выявления беспорядка в структуре (Рис.3).
Температурная приставка TTK450 (фирмы ANTON PAAR) (Рис.4) позволяет проводить эти измерения в широком температурном диапазоне, таким образом можно устанавливать изменение симметрии, параметров ячеек и структуры при температурных фазовых переходах.
Полуширины измеренных рефлексов используются для определения размеров кристаллитов и микронапряжений в образце, а отношение интегральной интенсивности рефлексов к полной интенсивности рентгенограммы дает степень кристалличности образца.
Линейный детектор VÅNTEC-1 (Рис.5), которым снабжен дифрактометр, одновременно измеряет интенсивности всех точек в угловом диапазоне 8º. Это позволяет исследовать быстротекущие процессы в образце, например, его разложение при нагреве.
Рисунок 2. Разностная рентгенограмма в результате уточнения двух фаз (NH4)3SnF7 и (NH4)2SnF6 методом Ритвельда в программе TOPAS 4.2. Весовые доли фаз представлены в прямоугольнике на вставке. | Рисунок 3. Сечения электронной плотности для пяти образцов со структурой эльпасолита через центральный квазиоктаэдр MeO3F3 (Me=W, Mo). Элипсообразные контуры, соответствующие ионам O/F, указывают на их разупорядочение в структуре. |
Рисунок 4. Температурная камера ТТК-450. | Рисунок 5. Линейный детектор VÅNTEC-1. |
Люминесцентный детектор регистрирует дифракционную картину рассеяния кристаллом рентгеновского излучения.
Химия, металлургия, геология, криминалистика, сверхпроводимость.
В случае недостаточности электронной заявки через сайт, должны быть указаны все контакты лиц принимающих решение о приёме образцов на измерение.
Место расположения прибора: | Институт физики СО РАН, лаборатория кристаллофизики, каб. 1-89 |
Ответственный за прибор | Васильев Александр Дмитриевич тел. 494507 e-mail: adva@iph.krasn.ru |
Руководитель подразделения | Зайцев Александр Иванович тел. 494425 e-mail: az@iph.krasn.ru |
Заявки принимает | Васильев Александр Дмитриевич тел. 494507 e-mail: adva@iph.krasn.ru |